Zeitschrift für Elektrotechnik und Elektronik

Untersuchung zweidimensionaler Elektronengase für GaN-basierte Heterostrukturen

Rahman MS, Babuya SK, Mahfuz MA, Siddiki FBT und Mahmood ZH

Die Trägerdichte zweidimensionaler Elektronengasschichten (2DEG) wird für AlGaN/GaN-, AlN/GaN- und InGaN/GaN-Heterostrukturen mithilfe eines selbstkonsistenten Schrödinger-Poisson-Gleichungssimulators untersucht. Die Simulation berücksichtigt auch die zugrunde liegende Physik hinter den Eigenschaften der 2DEG-Dichte. Dabei wird die Abhängigkeit der 2DEG-Dichte von der Legierungszusammensetzung, der Dicke der Kanalschicht und der Änderung der Gate-Spannung untersucht. Diese Simulation zeigt den Vergleich der Trägerdichte 2DEG-Schichten zwischen verschiedenen Heterostrukturen. Die maximale Trägerdichte 2DEG-Schichten beträgt ohne jegliche Vorspannung 1,76×10 ¹³ cm ^-2 für AlN/GaN, 2,16×10 ¹³ cm ^-2 für InGaN/GaN und 1,82×10 ¹³ cm ^-2 .