Zeitschrift für Nanomaterialien und molekulare Nanotechnologie

Morphologische Charakterisierung von Nanoverbindungen, die an der Schnittstelle von Sn-beschichteten mehrwandigen Kohlenstoffnanoröhren auf einer auf einem Si-Substrat gemusterten Ätzmaske gebildet wurden

Mohanty US, Lin CI und Lin KL 

Zinnbeschichtete mehrwandige Kohlenstoffnanoröhren (SnO2/MWCNT)-Verbundstoffe wurden im ersten Schritt durch Ausfällung von SnCl2 in einer CNT-Suspension synthetisiert. Eine effiziente Dispersionstechnik unter Verwendung von Trifluoressigsäure (TFA) wurde zur homogenen Dispersion von Sn-beschichteten mehrwandigen Kohlenstoffnanoröhren (MWCNT) auf einer Ätzmaske eingesetzt, die auf einem Si-Wafer unter Verwendung von AZ 1500 als Fotolack gemustert wurde. Die MWCNT-Suspension wurde homogen auf dem gemusterten Si-Wafer dispergiert und die Bildung von Nano-Verbindungen oder Nanoverbindungen wurde durch hochauflösende Transmissionselektronenspektroskopie (HRTEM) eindeutig festgestellt. Bilder der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) zeigten, dass die zwischen zwei MWCNTs gebildeten Nano-Verbindungen sowohl aus tetragonalem Sn als auch aus orthorhombischer SnO2-Phase bestanden. Durch Reduktion von SnO2/MWCNTs in einer Reflow-Atmosphäre wurde an der Schnittstelle zweier mehrwandiger Kohlenstoffnanoröhren elementares Sn beobachtet. Die Grenzflächenwechselwirkung zwischen den Graphenschichten in den Kohlenstoffnanoröhren und metallischem Sn/Oxid wurde ebenfalls untersucht. Raman-Spektroskopiestudien belegten die Grenzflächenwechselwirkung zwischen MWCNT und metallischem Sn. Die Ergebnisse zeigten, dass die starke Wechselwirkung zwischen MWCNT und Sn das ID/IG-Verhältnis in MWCNTs senkte. Die mehrwandigen Kohlenstoffnanoröhren erwiesen sich auf der gemusterten Maske als gut miteinander verbunden, und dieses Phänomen könnte neue Erkenntnisse zur Leitfähigkeit von Kohlenstoffnanoröhren in elektronischen Schaltkreisen liefern.