Dutta D, Hazra A, Das J, Hazra SK, Lakshmi VN, Sinha SK, Gianoncelli A, Sarkar CK und Basu S
Wachstum von mehrschichtigem Graphen durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und Charakterisierungen
Graphen mit der nanostrukturierten Konfiguration hat sich als potenzielles Material für seine vielseitigen Anwendungen in verschiedenen Bereichen der Wissenschaft und Technologie erwiesen. Das Züchten von einschichtigem Graphen ist eine echte Herausforderung, aber in letzter Zeit haben sich auch mehrschichtiges und mehrschichtiges Graphen als sehr nützlich erwiesen. In der vorliegenden Untersuchung wurde die thermische CVD-Methode eingesetzt, um einen mehrschichtigen Graphen-Dünnfilm durch die Zersetzung von Methan (CH4) gemischt mit hochreinem Wasserstoff im Verhältnis CH4:H2:N2=15:5:300 (in SCCM) bei 1000 °C und bei atmosphärischem Druck zu züchten, wobei ein katalytischer Kupferfilm (Cu) verwendet wurde, der auf einem thermisch oxidierten Siliziumsubstrat abgeschieden wurde.