Kummari Venkateswaramma1, B.Vishala1, Sabbi Vamshi Krishna2, Sandip Swarnakar3*
Dank seiner besonderen physikalischen Eigenschaften wird Titandioxid (TiO2) vielfältig eingesetzt und ist ein interaktives Material in der Forschung auf dem Gebiet der Halbleiterphysik. Um die kristallografische Beschaffenheit von hergestelltem Fe/TiO2 und Ni-Fe/TiO2 zu untersuchen, wurde eine Röntgenbeugungsstudie (XRD) durchgeführt. Die Ergebnisse zeigen, dass sowohl reine als auch dotierte TiO2-Proben in der Anatasphase vorlagen und keine Beugungsspitzen von Ni oder Fe aufwiesen. Die Rasterelektronenmikroskopiebilder (REM) zeigten, dass die Partikelmorphologie durch Einbau von Dotierstoffen verändert wurde, die als Kristallisationskerne wirkten. Die dielektrischen Eigenschaften und die elektrische Leitfähigkeit für TiO2 und mit TiO2 beladene Fe-, Ni- und Ni-Fe-Zusammensetzungen im Temperaturbereich von 25–110 °C und über den Frequenzbereich (100 Hz–0,3 MHz) wurden ebenfalls untersucht. Die Werte der Dielektrizitätskonstante und des dielektrischen Verlusts sinken mit zunehmender Frequenz. Die dielektrische Permittivität für Fe/TiO2 weist eine relativ niedrigere Dielektrizitätskonstante auf als für Ni-Fe/TiO2. Es wurde ein Relaxationspeak festgestellt, der sich mit zunehmender Temperatur zu einer höheren Frequenz verschiebt. Es wurde festgestellt, dass die Wechselstromleitfähigkeit mit der Frequenz zunimmt, was mit dem Sprungleitungsprozess zusammenhängen könnte. Die Aktivierungsenergie Ea für Fe/TiO2 war höher als für Ni-Fe/TiO2 und nahm mit zunehmender Frequenz ab.