Zeitschrift für physikalische Forschung und Anwendungen

ஃபீனாப்ஸ்டிம்முங் டெர் எலெக்ட்ரோனிஷென் எய்ஜென்ஸ்காஃப்டன் வான் கிராபென்ஸ்சிக்டன் டர்ச் டோடியர்ங் மிட் போர் அண்ட் ஸ்டிக்ஸ்டாஃப் - ஐன் டிஎஃப்டி-ஸ்டூடி

ரஞ்சித் குமார்*

டீசரில் அர்பீட் அன்டர்சுச்டென் விர் டை பேண்ட்லுகெனோஃப்நங் டர்ச் சப்ஸ்டிடியூஷன் வான் பி அண்ட் என் ஆஃப் டெர் கிராபென்-நானூபெர்ஃப்ளேச். Wir fanden heraus, dass durch B und N substituiertes Graphen eine elektronische Bandlücke im Bereich von 0,13 bis 0,24 eV einführte. Spinpolarisierte DFT-Berechnungen (Dichtefunktionaltheorie) deuten auf eine asymmetrische DOS für die Spin-Up-und Spin-Down-Komponente hin. Diese Materialien weisen auch magnetische Eigenschaften auf. B- und N-Substitutionen werden bei Konzentrationen von 3 %, 6 %, 9 % und 12 % durchgeführt. Der Trend zeigt, dass mit zunehmender Dotierungskonzentration das Fermi-Niveau für B- und N-dotiertes Graphen jeweils abnimmt bzw. zunimmt. B-dotiertes Graphen dient als p-Typ-Halbleiter, während N-dotiertes Graphen als n-Typ-Halbleiter dient.